半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996054776
Publication number (International publication number)：1996264733
Application date： Mar. 12, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】高誘電物質で形成された誘電体膜を有する半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による半導体メモリ素子のキャパシタは、誘電体膜26及び非晶質の炭化けい素層24、28を包含する電極で構成されている。従って、グレーン境界を通して酸素原子が下地膜に拡散されることと、炭化けい素層の表面に酸化層が形成されることを防止しうるので等価酸化膜の厚さがあまり厚くならない高信頼度のキャパシタ電極を形成しうる。

Claim (excerpt)：

誘電体膜と、前記誘電体膜と接する非晶質の炭化けい素層を包含する電極とを具備することを特徴とする半導体メモリ素子のキャパシタ。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-304666
電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-150254 Applicant：株式会社東芝
キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-237507 Applicant：富士通株式会社

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