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J-GLOBAL ID:200903043850018037

半導体装置及びその試験装置、並びに試験方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999101343
Publication number (International publication number):2000294605
Application date: Apr. 08, 1999
Publication date: Oct. 20, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ウエハ上の半導体装置に対する測定を行う場合に、電極パッドに対する適正な接触位置にプローブを確実に案内して測定結果の精度を高めることができる半導体装置及びその試験装置、並びに試験方法を提供する。【解決手段】 本発明の試験装置は、ウエハ20上に形成された半導体装置13の複数の電極パッド45に接触する複数のプローブ28を有している。この試験装置では、各プローブ28の先端が、電極パッド45に対する正規の接触位置に案内される被ガイド面(28a、28b、28c)を形成している。
Claim (excerpt):
ウエハ上に形成された半導体装置の複数の電極パッドに接触する複数のプローブを備えた試験装置において、各プローブの先端が、前記電極パッドに対する正規の接触位置に案内される被ガイド面を形成することを特徴とする試験装置。
F-Term (9):
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD03 ,  4M106DD10 ,  4M106DD13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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