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J-GLOBAL ID：200903043858081285

窒化物半導体発光素子

Inventor：
森 誠一郎

About 森 誠一郎

, 
園部 真也

About 園部 真也


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002059217
Publication number (International publication number)：2002335010
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 青色より波長の短い光を発光する発光素子チップを用いて構成することができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】 透光性基板の一方の主面上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と発光層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光素子において、発光層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含むSiO2層が透光性基板の他方の主面上に形成され、SiO2層を介して光を出力させることにより、蛍光体が発光する光のみにより発光色を得ることができると共に寿命の長い発光ダイオードが得られる。
Claim (excerpt)：
透光性基板の一方の主面上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と発光層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光素子において、上記発光層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含むSiO2層が上記透光性基板の他方の主面上に形成され、該SiO2層を介して光を出力することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
F-Term (16)：
5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB31 ,  5F041EE25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 発光部品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331083   Applicant：三洋電機株式会社
  • 発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-219246   Applicant：豊田合成株式会社
  • 発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-101243   Applicant：日亜化学工業株式会社
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