半導体発光装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998137977
Publication number (International publication number)：1999330620
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光素子を静電気保護素子等のサブマウント素子のウエハー上に搭載する工程を時間短縮するとともにハンドリングも向上し得る製造方法の提供。【解決手段】 p側及びn側の電極を含む静電気保護用のSiダイオード1のパターンを行列状に形成したウエハー4の上に、半導体発光素子2をフリップチップ型として導通搭載する製造方法であって、Siダイオード1の複数の互いに隣接するパターンに対応する複数の半導体発光素子2を形成したウエハー片3をSiダイオードウエハー4の行列に合わせて搭載し、ウエハー片3の複数の半導体発光素子2のそれぞれが単体に分離されるようにウエハー片3及びSiダイオードウエハー4を同時にダイシングする。

Claim (excerpt)：

透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子が、2つ以上の電極を持つサブマウント素子上に搭載接合された半導体発光装置の製造方法であって、ウエハーに前記サブマウント素子のパターンを行列状に形成し、前記ウエハーのサブマウント素子のパターンに対応して複数の半導体発光素子を行列状に形成したウエハー片を前記ウエハー上に電極パターンの行列に合わせて搭載接合した後、前記ウエハー片の複数の半導体発光素子のそれぞれが単体に分離されるように前記ウエハー片及び前記ウエハーを同時にダイシングする半導体発光装置の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 N , H01L 21/78 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-127444
特開昭59-188181
特開昭62-045193

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