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J-GLOBAL ID：200903043901244088

半導体洗浄方法

Inventor： 原田 佳尚 ,  丹羽 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999074749
Publication number (International publication number)：2000269177
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板洗浄に使用されるSC-1洗浄において、基板表面の鉄濃度を低減しかつ炭素汚染を低減して信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体基板の表面をアルカリ、過酸化水素および水を構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後に半導体基板の表面を超純水でリンスする工程とを含み、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少なくとも一方に、分子中にホスホン酸基またはその塩を一つ以上含有する錯化剤を、2.1E-5〜4.2E-5重量%の範囲で添加した洗浄薬液を使用する。これにより、錯化剤による鉄除去効果により信頼性向上が期待でき、さらに炭素汚染による信頼性低下も少なくてすむ。このため、累積不良率が少なく特に信頼性向上を実現することができる。また、他の薬液や錯化剤において、その飽和温度の0.9倍から1.8倍の範囲内での錯化剤濃度を設けることで信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面をアルカリ、過酸化水素および水を構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後に前記半導体基板の表面を超純水でリンスする工程とを含み、前記半導体表面処理剤とリンス用超純水の少なくとも一方に、分子中にホスホン酸基またはその塩を一つ以上含有する錯化剤を、2.1E-5〜4.2E-5重量%の範囲で添加した洗浄薬液を使用することを特徴とする半導体洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08

FI (3)：

H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08 Z

F-Term (10)：

3B201AA03 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC13 ,  3B201CC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 表面処理方法及び処理剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-095360   Applicant：和光純薬工業株式会社, 株式会社ピュアレックス
• 表面処理液および基板表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064563   Applicant：株式会社日立製作所
• 有機物除去装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-099065   Applicant：九州日本電気株式会社