Pat

J-GLOBAL ID：200903043923607931

発光素子用半導体及びその製造方法

Inventor： 植草 新一郎 ,  熊谷 正夫 ,  大嶋 敏広
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206553
Publication number (International publication number)：1997036420
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 エルビウムを添加した化合物半導体は、発光波長が石英系ファイバの最低損失波長に一致するため、光通信用発光素子の材料として大いに期待されているが、室温での動作に問題がある。そこで、エルビウムを添加した化合物半導体であって、室温でも十分に動作する発光素子を実現可能な発光素子用半導体を提供する。【解決手段】 本発明に係る発光素子用半導体は、ガリウムリン単結晶に、エルビウム及び窒素を発光中心として含むことを特徴とするものである。本発明に係る発光素子用半導体の製造方法は、前記エルビウム及び窒素をイオン注入法により前記ガリウムリン単結晶に導入した後、このガリウムリン単結晶にアニール処理を施すものである。

Claim (excerpt)：

ガリウムリン単結晶に、エルビウム及び窒素を発光中心として含むことを特徴とする発光素子用半導体。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 元素半導体基板上の半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-201964   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭59-146492
  
• 光増幅装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143644   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 特開平4-233782
  
• 特開昭64-073788