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J-GLOBAL ID:200903044003027727

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006314243
Publication number (International publication number):2008130814
Application date: Nov. 21, 2006
Publication date: Jun. 05, 2008
Summary:
【課題】電界効果移動度や電流オン・オフ比などのトランジスタ特性に優れ、且つ、界面特性に優れた、信頼性の高い薄膜トランジスタを再現性良く実現する。【解決手段】酸化インジウムからなる活性層(チャネル層)11を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。熱処理は150°C以上450°C以下の酸化雰囲気中で行われることが望ましい。熱処理を加える工程前の酸化インジウム膜がアモルファスであり、熱処理を加える工程後の酸化インジウム膜が結晶であることが望ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
酸化インジウムからなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、 活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された前記酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (4):
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
F-Term (52):
2H092JA28 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA22 ,  2H092NA05 ,  2H092NA21 ,  5F110AA05 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ14 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152EE14 ,  5F152FF21
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • トランジスタ構造及びその製作方法
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願2005-501592   Applicant:ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
  • 薄膜デバイス及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-217272   Applicant:日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
Cited by examiner (1)
  • トランジスタ構造及びその製作方法
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願2005-501592   Applicant:ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

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