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J-GLOBAL ID：200903059442096627

トランジスタ構造及びその製作方法

Inventor：
ウェイジャー,ジョン・エフ,ザ・サード

About ウェイジャー,ジョン・エフ,ザ・サード

, 
ホフマン,ランディ・エル

About ホフマン,ランディ・エル


Applicant, Patent owner：
ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

About ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ


Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  田中 英夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005501592
Publication number (International publication number)：2006502597
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：
トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ZnO、SnO2及びIn2O3から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層/ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第2の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のZnO、SnO2及びIn2O3から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
Claim (excerpt)：
ZnO、SnO2及びIn2O3から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層と、 実質的に透明な材料から構成され且つチャネル層/ゲート絶縁体層境界面を形成するように前記チャネル層に隣接して配置されたゲート絶縁体層と、 前記チャネル層/ゲート絶縁体層境界面に蓄積するため電子を前記チャネル層に注入することが可能であるソースと、 電子を前記チャネル層から抽出することが可能であるドレーンとを備え、 エンハンスメント・モードで動作するよう構成されている電界効果トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (10)：
H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 671C
F-Term (84)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB61 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA25 ,  2H092NA02 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F083AD02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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