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J-GLOBAL ID：200903044035829698

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 船岡 千洋 ,  園田 純一 ,  笹倉 賢 ,  小川 芳宏 ,  小林 静一郎
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283989
Publication number (International publication number)：1999121795
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程の増加を抑制し、かつ光の外部取出効率を高めることができる発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaPと格子整合しない半導体材料からなる支持基板の主表面上に発光層が形成されている。発光層は、支持基板に格子整合するAlGaInP系化合物半導体からなる層を含み、かつ支持基板に格子整合する化合物半導体からなるp型層とn型層とを含む。発光層の上に光散乱層が形成されている。光散乱層は、GaPからなり、発光層から放射された光を散乱させるように表面を粗くされている。光散乱層の表面の一部の領域上に、該光散乱層に直接接するように光取出側電極が形成されている。

Claim (excerpt)：

主表面を有し、GaPと格子整合しない半導体材料からなる支持基板と、前記支持基板の主表面上に形成され、前記支持基板に格子整合するAlGaInP系化合物半導体からなる層を含み、かつ前記支持基板に格子整合する化合物半導体からなるp型層とn型層とを含む発光層と、前記発光層の上にGaPにより形成され、前記発光層から放射された光を散乱させるように表面を粗くした光散乱層と、前記光散乱層の表面の一部の領域上に、該光散乱層に直接接するように形成された光取出側電極とを有する発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351646   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-036026   Applicant：サンケン電気株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066879   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-275399   Applicant：三菱化学株式会社