半導体発光装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275399
Publication number (International publication number)：1996213652
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【構成】第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaP又はGaPからなる光取り出し層を有することを特徴とする半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaP又はGaPからなる光取り出し層を有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭61-280694
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-351646 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-218240 Applicant：オムロン株式会社

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Cited by examiner (9)

特開昭61-280694
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-351646 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-218240 Applicant：オムロン株式会社

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