Pat
J-GLOBAL ID：200903044131616689
ダイヤモンド薄膜の形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002253766
Publication number (International publication number)：2004091250
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：
【課題】これまで、レーザーアブレーション法によるダイヤモンド膜の結晶粒径は平均100nm位が限界であり、結晶粒径をそれ以上に大きくする方法や、大きさを任意に制御する方法が無かった。また、結晶成分の割合が少なく、膜表面の平坦性がなかった。【構成要件】基板温度を400°C〜650°Cの範囲とし、反応チャンバ内を実質的に酸素からなる雰囲気として成膜中のグラファイト成分であるsp2結合成分を酸素により選択的に除去することによりダイヤモンド膜を基板上に堆積する方法において、レーザーパルス毎の堆積粒子の過飽和状態が緩和されてしまう前に次のレーザーパルスの堆積粒子の過飽和状態が形成されるように、ターゲットに照射するレーザーの繰り返し周波数が0.1Hz〜50Hzの範囲において、繰り返し周波数の値とフルーエンス値の設定によって膜の平均結晶粒径を10nmから10μmの範囲内の所望の値にする。【選択図】 図8
Claim (excerpt)：
基板温度を400°C〜650°Cの範囲とし、反応チャンバ内を実質的に酸素からなる雰囲気として成膜中のグラファイト成分であるsp2結合成分を酸素により選択的に除去することによりダイヤモンド薄膜を基板上に堆積する、ダイヤモンド薄膜のレーザーアブレーション法による形成方法において、
レーザーパルス毎の堆積粒子の過飽和状態が緩和されてしまう前に次のレーザーパルスの堆積粒子の過飽和状態が形成されるように、ターゲットに照射するレーザーの繰り返し周波数が0.1Hz〜50Hzの範囲において、繰り返し周波数の値とフルーエンス値の設定によって基板に堆積するダイヤモンド膜の平均結晶粒径を10nmから10μmの範囲内の所望の値にすることを特徴とするダイヤモンド薄膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B29/04 M
, C23C14/06 F
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DA03
, 4G077EA02
, 4G077EA07
, 4G077HA20
, 4G077SA04
, 4K029AA04
, 4K029BA34
, 4K029BC01
, 4K029BC02
, 4K029CA01
, 4K029DB02
, 4K029DB20
, 4K029EA02
, 4K029EA08
