半導体ウェーハーをエッチングするための方法及びその装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998504081
Publication number (International publication number)：2000514600
Application date： Jan. 23, 1997
Publication date： Oct. 31, 2000
Summary：

【要約】高密度DRAM及びFRAMに要求される垂直側壁(20)を作るために、2段階の物理的エッチング処理及び化学的エッチング処理を用いて半導体ウェーハー(40)をエッチングするための方法と装置(6)を提供する。

Claim (excerpt)：

少なくとも実質的に垂直な側壁外形を有するウェーハー造形を得るために、ウェーハーを物理的にエッチングする段階と、次に化学的にエッチングする段階とから成ることを特徴とするウェーハーをエッチングする方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平3-093224
半導体装置のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-167847 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-303125

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