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J-GLOBAL ID：200903044221154137

半導体装置作製方法及び薄膜半導体装置作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  深田 武
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257414
Publication number (International publication number)：1997139370
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。【解決手段】 水素ラジカルならびに水素イオンなどの活性化した水素を、プラズマ法または触媒法によって形成し、それによって基板上の被積層形成面上の炭素の一重結合を含む汚染物を、そのラジカル等によってガス化して除去する。

Claim (excerpt)：

積層形成を行う半導体装置製造方法において、積層形成をする前に、活性化した水素によって、被積層形成面上の少なくともその一部において炭素の一重結合を含む汚染物を減少させ、その後前記被積層形成面上に前記積層形成を行うことを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平4-096226
  
• 特開昭63-038233
  
• 特開昭59-011629
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094465   Applicant：ソニー株式会社
• 酸化ケイ素薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041758   Applicant：株式会社ジーティシー
• 特開平4-096226
  
• 特開昭63-038233
  
• 特開昭59-011629