半導体装置およびその作製方法および電子機器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232607
Publication number (International publication number)：1998064817
Application date： Aug. 13, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【目的】 SOI構造を有する半導体装置を得る。【構成】単結晶シリコン基板101中に酸素イオンを注入する。また、Ni元素を導入する。そして加熱処理により酸化珪素層105を形成すると同時に単結晶シリコン層106を得る。さらにハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において加熱処理を行い、熱酸化層107を得る。Ni元素を利用することにより、単結晶シリコン層106の形成と該層と酸化珪素層104との界面に形成される欠陥の補償を行う。また熱酸化層107の形成時にニッケル元素を熱酸化層中にゲッタリングする。そして熱酸化層107を除去することにより、ニッケル元素を実用上問題の無い濃度とすることができる。

Claim (excerpt)：

結晶シリコン基板中に形成された酸化珪素層と、該酸化珪素層上に形成された単結晶シリコン層と、を有した半導体装置の作製方法であって、前記単結晶シリコン層の形成に際して、意図的にニッケル元素を前記シリコン基板中に添加する工程と、前記ニッケル元素を意図的に除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/322 , H01L 21/76 , H01L 27/12

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 Q , H01L 27/12 E , H01L 21/265 J , H01L 21/76 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-177678 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-185838 Applicant：日本電気株式会社
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-081348 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社

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Cited by examiner (5)

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