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J-GLOBAL ID：200903044278528963

半導体レーザ

Inventor：
朝妻 庸紀

About 朝妻 庸紀


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003361420
Publication number (International publication number)：2005129604
Application date： Oct. 22, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：
【課題】ブロードエリア型の半導体レーザにおいて、NFPの均一化を図る。【解決手段】n型のクラッド層2とn型のガイド層3と活性層4とp型のガイド層5とp型のクラッド層6とを用いて光の導波路を形成してなる半導体レーザの構成として、導波路の軸方向となるX方向の両端に設けられたレーザ端面9A,9Bのうち、一方のレーザ端面9Bの近傍に、導波路内を導波される光を活性層4と平行な面内でX方向と異なる方向に回折する回折部10を設けた。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
活性層と2つのクラッド層とを用いて光の導波路を形成するとともに、前記導波路の軸方向の両端に設けられたレーザ端面のうち、少なくとも一方のレーザ端面の近傍に、前記導波路内を導波される光を前記活性層と平行な面内で前記導波路の軸方向と異なる方向に回折する回折部を設けてなる ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1)：
H01S5/343
FI (1)：
H01S5/343
F-Term (18)：
5F073AA04 ,  5F073AA41 ,  5F073AA45 ,  5F073AA72 ,  5F073AA85 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-247187   Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (2)

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