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J-GLOBAL ID：200903044280550445

低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子

Inventor： 山本 直克 ,  赤羽 浩一 ,  牛頭 信一郎 ,  大谷 直毅
Applicant, Patent owner： 独立行政法人情報通信研究機構
Agent (2)： 新保 斎 ,  渡邊 敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003322038
Publication number (International publication number)：2005093553
Application date： Sep. 12, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】 III-V族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に形成する。【解決手段】 III-V族量子ドットの格子定数に対して3%以下の格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に、III-V族量子ドットを構成するV族元素の分子線を桁数にして10-7Torrの条件において照射することによって、III-V族量子ドットを成長させて形成する。III-V族量子ドットが、InおよびAsを主たる構成元素とするInAs系量子ドットであり、III-V族化合物半導体が、Sbおよび、Al、Gaの少なくともいずれか一方の元素を主たる構成元素とするAlGaSb系化合物半導体とし、AlGaSb系化合物半導体上に、温度条件が約500°C、As分子線を3.0×10-7〜7.0×10-7Torrで照射することによって、InAs系量子ドットを成長させて形成する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

III-V族量子ドットの格子定数に対して3%以下の格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に、III-V族量子ドットを構成するV族元素の分子線を桁数にして10-7Torrの条件において照射することによって、III-V族量子ドットを成長させて形成することを特徴とする低格子不整合系における量子ドットの形成方法。

IPC (2)：

H01L21/203 ,  H01S5/343

FI (2)：

H01L21/203 M ,  H01S5/343

F-Term (17)：

5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103BB02 ,  5F103BB08 ,  5F103DD03 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17 ,  5F103LL20 ,  5F103NN02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体量子ドット素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077772   Applicant：日本電気株式会社
• 量子箱集合素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-174774   Applicant：ソニー株式会社