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J-GLOBAL ID：200903044289513445

半導体ウエハおよびその研磨方法

Inventor：
砂地 直也

About 砂地 直也


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 大川 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001015942
Publication number (International publication number)：2002222785
Application date： Jan. 24, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ポリシングによる劈開面の変形や面だれを抑制できる半導体ウエハおよびその研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨プレート20に貼り付けられた半導体ウエハ22を回転定盤12上に貼り付けられた研磨布18に押し付けて研磨する半導体ウエハの研磨方法において、半導体ウエハ22に設けられたオリエンテーションフラット22aが研磨プレート20の中心側に向くように半導体ウエハ22を研磨プレート20に貼り付ける。
Claim (excerpt)：
プレートに貼り付けられた半導体ウエハを定盤上に貼り付けられた研磨布に押し付けて研磨する半導体ウエハの研磨方法において、半導体ウエハに設けられたオリエンテーションフラットがプレートの中心側に向くように半導体ウエハをプレートに貼り付けることを特徴とする、半導体ウエハの研磨方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 601 ,  B24B 1/00
FI (4)：
H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 601 H ,  B24B 1/00 A
F-Term (2)：
3C049AA07 ,  3C049AB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平2-036072
  • ウエーハの研磨方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-316623   Applicant：日立電線株式会社
  • 半導体基板の研磨方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090705   Applicant：日立電線株式会社
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