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J-GLOBAL ID：200903068458010624

窒化物半導体チップの製造方法

Inventor：
津田 有三

About 津田 有三


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999256483
Publication number (International publication number)：2001085736
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、前記ウエハーの窒化物半導体基板面に所望のチップ形状で第1の割り溝を線状に形成する工程と、前記第1の割り溝の線と合致する位置で、前記ウエハーの窒化物半導体積層面に新たに第2の割り溝を線状に形成すると共に、前記第1の割り溝幅よりも第2の割り溝幅を狭くする工程と、前記第1の割り溝と第2の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分割する工程を具備する。特に、窒化物半導体基板に塩素をドーピングすることによって、チップ分割が容易になる。
Claim (excerpt)：
基板上に、p型層とn型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を積層したウエハーを窒化物半導体チップに分割する製造方法であって、前記ウエハーに、幅広の第1の割り溝を所望のチップ形状に形成する工程と、前記ウエハーに幅狭の第2の割り溝もしくは欠け溝を所望のチップ形状で形成する工程と、前記幅広の第1の割り溝または第2の幅狭の割り溝もしくは欠け溝を用いて窒化物半導体結晶で構成された領域をチップ分割する工程とからなることを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (35)：
5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB17 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073EA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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