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J-GLOBAL ID:200903044456281799

光電変換装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002091690
Publication number (International publication number):2003289151
Application date: Mar. 28, 2002
Publication date: Oct. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 電子の授受がスムーズに行われ、変換効率が高い光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n型の電荷輸送層、界面層、p型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、n型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、p型の電荷輸送層は電着でCu2Oを成長させることによって形成する。酸化亜鉛針状結晶は電着により成長させる。酸化亜鉛針状結晶は亜鉛若しくは酸化亜鉛若しくは亜鉛と酸化亜鉛との混合物を加熱することにより気化させ成長させる。n型の電荷輸送層は少なくとも一種類以上の微粒子を酸化亜鉛針状結晶上に吸着させる。微粒子は径が30nm以下である。界面層は界面層を溶解した溶液中にn型の電荷輸送層を浸積させることによって形成している。界面層は色素である。
Claim (excerpt):
n型の電荷輸送層、界面層、p型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、前記n型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、前記p型の電荷輸送層は電着でCu2Oを成長させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (14):
5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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