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J-GLOBAL ID：200903044497110508

半導体量子ドット・デバイス

Inventor：
斎藤 英彰

About 斎藤 英彰


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 泉 克文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001209208
Publication number (International publication number)：2003023219
Application date： Jul. 10, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 量子ドットの基底準位へのキャリアの緩和を促進して10GHz程度以上の広い変調帯域を実現できる量子ドット・デバイスを提供する。【解決手段】 アンドープ量子ドット1の近傍にp型半導体障壁層3を設け、p型半導体障壁層3内のホール4を量子ドット1の価電子帯の基底準位8に予め注入しておく。こうして量子ドット1の伝導帯の基底準位7の伝導電子5の閾電子密度を下げることにより、その伝導帯の励起準位6から基底準位7への電子5の緩和過程10を促進する。
Claim (excerpt)：
複数の量子ドットを備えた半導体量子ドット・デバイスにおいて、前記量子ドットがp型不純物を含んでおり、前記p型不純物は、前記量子ドットの内部にホールを生成していて、それらホールは前記量子ドットの価電子帯の基底準位にあることを特徴とする量子ドット・デバイス。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06 601
FI (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06 601 D
F-Term (6)：
5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F073EA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 空気入りラジアルタイヤ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-016244   Applicant：東レ株式会社
  • 半導体量子ドット素子とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077772   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭62-188390
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