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J-GLOBAL ID：200903013933548651

半導体素子

Inventor： 向井 剛輝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000123539
Publication number (International publication number)：2001308465
Application date： Apr. 25, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子に関し、量子ドットを用いた半導体素子に於ける発光寿命の遅延を制御・抑制し、且つ、フォノン・ボトルネック現象を解消できる構成を実現させ、これに依って、半導体装置の特性を向上させようとする。【解決手段】 不純物を含有しない自己形成量子ドット2が不純物を含有したp型濡れ層1に接して形成されている。

Claim (excerpt)：

不純物を含有しない半導体量子ドットが不純物を含有した半導体層に接して形成されてなることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01S 5/34 ,  H01L 29/06 ,  H01S 5/183

FI (3)：

H01S 5/34 ,  H01L 29/06 ,  H01S 5/183

F-Term (7)：

5F073AA46 ,  5F073AA75 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA11 ,  5F073EA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244498   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体面発光レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-093340   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体量子ドット素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077772   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-239497   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-075682   Applicant：三洋電機株式会社
• 量子半導体装置および量子半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066899   Applicant：富士通株式会社