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J-GLOBAL ID：200903044520299320
荷電粒子ビーム露光方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 眞吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994072286
Publication number (International publication number)：1995283101
Application date： Apr. 11, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】層間位置合わせ処理に要する時間を短縮する。【構成】チップ領域11〜15の位置合わせマークAj、Bj、Cj、Dj、j=1〜5を検出し、マークA1〜A5の検出位置とこれに対応する設計上位置a1〜a5との関係から、ウェーハ10上の任意のマークAiの実際の位置と設計上の位置との間の第1関係式を求め、チップ領域1j、j=1〜5の各々について、マークAj、Bj、Cj、Djの検出位置と対応する設計上位置との関係から、チップ領域内の実際の位置と設計上の位置との間の第2関係式を求め、チップ領域11〜15の各々に対する第2関係式に基づいて、ウェーハ10上で第2関係式を一般化し、第1関係式と一般化された第2関係式とに基づいて、ウェーハ10上の任意のチップ領域1i内設計位置に対する実際の位置を近似的に算出する。
Claim (excerpt)：
1つのチップ領域(1i)に対応して複数の位置合わせマーク(Ai、Bi、Ci、Di)が形成され且つ該チップ領域が複数形成された露光対象物(10)が、移動ステージ(201)上に搭載され、該位置合わせマークの位置に基づいて該露光対象物に対し荷電粒子ビーム(EB)を照射して露光する荷電粒子ビーム露光方法において、互いに異なる該チップ領域(11〜15)の対応した該位置合わせマーク(A1〜A5)の位置である第1位置と、複数の該チップ領域の各々に対する該複数の位置合わせマーク(A1〜A5、B1〜B5、C1〜C5、D1〜D5)の位置である第2位置とを検出する工程(1)と、該第1位置の検出位置とこれに対応する設計上の位置との関係から、該露光対象物上の任意のチップ領域(1i)に対する該位置合わせマーク(Ai)の実際の位置と設計上の対応する位置との間の近似的な第1関係式を求める工程(2)と、複数の該チップ領域(1j、j=1〜5)の各々について、該第2位置(Aj、Bj、Cj、Dj)の検出位置とこれに対応する設計上の位置との関係から、該チップ領域内の実際の位置と設計上の対応する位置との間の近似的な第2関係式を求める工程(3)と、複数の該チップ領域の各々に対する該第2関係式に基づいて、該露光対象物上の任意の該チップ領域内の実際の位置と設計上の対応する位置との間の一般化された近似的な第2関係式を求める工程(4)と、該第1関係式と該一般化された第2関係式とに基づいて、該露光対象物上の任意のチップ領域内設計位置に対する実際の位置を近似的に算出する工程(5)と、該算出位置に基づいて露光する工程(6)と、を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (1)
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位置合わせ方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-140580
Applicant：株式会社ニコン
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