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J-GLOBAL ID：200903044535816975

平均結晶子径の測定方法及び薄膜の作製方法、作製装置

Inventor：
橋本 浩行

About 橋本 浩行


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998207986
Publication number (International publication number)：1999092945
Application date： Jul. 23, 1998
Publication date： Apr. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 1μm四方以下の微小領域に形成される結晶構造を有する材料の薄膜の平均結晶子径の測定方法の提供、並びに該薄膜の作製装置の提供。【解決手段】 紫外線領域に吸収を持ちかつ結晶構造を有する材料の試料に電子線を照射し、反射した電子のエネルギー損失スペクトルを測定し、該スペクトルを利用する、例えば、電子エネルギー損失スペクトル中に現れる(1)プラズモンピークのエネルギー値と、弾性散乱ピークに対するプラズモンピークの相対強度、又はその形状、(2)π→π*遷移に由来するピークのエネルギー値と、弾性散乱ピークに対するπ→π*ピークの相対強度、又はその形状、あるいは(3)非弾性散乱電子により形成される連続的なスペクトルのバックグランドの形状、又は弾性散乱ピークに対するある一点の相対強度、と該試料の平均結晶子径との間の相関関係を用いて結晶子径を求める。
Claim (excerpt)：
紫外線領域に吸収を持ちかつ結晶構造を有する材料の平均結晶子径を測定する方法において、被分析試料に電子線を照射し、反射した電子のエネルギー損失スペクトルを測定し、該スペクトルを利用することを特徴とする測定方法。
IPC (4)：
C23C 16/52 ,  C01B 31/04 102 ,  C30B 25/16 ,  G01N 23/20
FI (4)：
C23C 16/52 ,  C01B 31/04 102 ,  C30B 25/16 ,  G01N 23/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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