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J-GLOBAL ID：200903044557033249

トレンチ内に側方に成長させられるエピタキシャル材料及びその製造方法

Inventor： シー・ユアン・ワン ,  チャンフア・チェン ,  ヨン・チェン ,  スコット・ダブリュー・コルザイン ,  アール・スコット・カーン ,  リチャード・ピー・シュナイダー,ジュニア
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999110251
Publication number (International publication number)：2000021771
Application date： Apr. 19, 1999
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】エヒ ゚タキシャル層に高品質で転位密度の低い材料を生成する簡便な方法を提供する。【解決手段】トレンチ(60)内にエヒ ゚タキシャル材料(71,72,73...)を側方に成長させることによって、転位密度が十分に低いトレンチヘ ゙ースの半導体材料を製作することが可能となる。トレンチ(60)の側壁(61)から成長を開始することによって、格子成長テンフ ゚レート内に存在する転位(54)の密度が最小になり、従って、再成長材料内の転位密度が最小になる。また、再成長がトレンチ(60)を満たしてそれをオーハ ゙ーフローすることができるようにすることによって、低転位密度材料(71,72,73...)が、それが成長させられる基板(52)の表面全体を被うことが可能となる。さらに、トレンチ成長手順を逐次繰り返すことによって、より高品質の材料を得ることができる。そして、安定した、高品質のエヒ ゚タキシャル材料を必要とするテ ゙ハ ゙イスを、この低転位密度材料から製作することができる。

Claim (excerpt)：

転位密度の低い材料を成長させるための方法であって、基板(52)にトレンチ(60)を形成するステップと、前記トレンチ(60)において、エピタキシャル側方成長層(71)を、前記トレンチ(60)の壁(61)から開始して、成長させるステップとからなる方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-126989   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-275826   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-049906   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 結晶製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-098841   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平1-300514