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J-GLOBAL ID：200903005978122580
結晶製造方法および発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098841
Publication number (International publication number)：1999297630
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 異種基板を用いて単結晶を製造する際、基板からの貫通転位等の欠陥を減少させ、結晶性のよい結晶を得る必要がある。【解決手段】 結晶成長抑制物質を用いた、成長抑制効果のある物質からなるパターン化したマスクを異なる面に2種設置する技術により基板からの貫通転位を抑えることができ、欠陥密度の小さい結晶が得られる。特に、高効率の窒化ガリウム系の発光素子作製に有効な手段である。
Claim (excerpt)：
成長抑制効果のある物質からなる第1のパターン化マスクを形成した基板を用いた結晶の製造方法において、第1のパターン化マスクとは異なる面上に成長抑制効果のある物質からなる第2のパターン化マスクを用いて、前記結晶に連続して結晶を成長することを特徴とする結晶製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-126989
Applicant：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-275826
Applicant：日亜化学工業株式会社
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無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-350701
Applicant：三菱電線工業株式会社
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Cited by examiner (5)
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