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J-GLOBAL ID:200903044609104700
レーザー照射システム
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995027454
Publication number (International publication number):1996203843
Application date: Jan. 24, 1995
Publication date: Aug. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置のパネルを作製する際に、レーザー光の照射によるアニールを効果的に行う。【構成】 線状のレーザー光107を2つの減光フィルター104と105により分割してそのエネルギーを制御する。そしてアクティブマトリクス型の液晶表示装置のパネルの周辺回路領域111と画素領域112とに異なるエネルギーでレーザー光108と109とを照射する。こうすることにより、必要とする領域に必要とするエネルギーでレーザー光を照射することができる。
Claim (excerpt):
所定の面積をもつビームを照射できるレーザー照射装置と、部分部分でエネルギー減衰率を変えることが可能なエネルギー減衰装置と、を組み合わせることを特徴とするレーザー照射システム。
IPC (5):
H01L 21/268
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (2):
H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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レーザ装置、その運転方法およびその応用
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-115427
Applicant:住友電気工業株式会社
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特開平3-286518
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特開平2-177422
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単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-039254
Applicant:株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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特開昭62-021207
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