ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999275332
Publication number (International publication number)：2001100417
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高感度で、0.2μm以下の高解像力を有し、かつ矩形形状を有し、更に二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。【解決手段】少なくとも式(I)で示されるシロキサン構造単位{式)中、Lは単結合又はアリーレン基を表す。Aは芳香環又は脂環構造を表し、それぞれ置換基を有していてもよい。nは1〜6の整数を表す}と、酸で分解してアルカリ可溶性基を発生させる基をもつシロキサン構造単位とを含有するポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】

Claim (excerpt)：

少なくとも下記一般式(I)で示されるシロキサン構造単位と、酸で分解してアルカリ可溶性基を発生させる基をもつシロキサン構造単位とを含有するポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、Lは単結合又はアリーレン基を表す。Aは芳香環又は脂環構造を表し、それぞれ置換基を有していてもよい。nは1〜6の整数を表す。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (23)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB08 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB17 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB52 , 2H025CC20 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-270580 Applicant：信越化学工業株式会社
感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-012665 Applicant：富士写真フイルム株式会社
特開平4-188102

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Cited by examiner (5)

ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-270580 Applicant：信越化学工業株式会社
感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-012665 Applicant：富士写真フイルム株式会社
特開平4-188102

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