半導体装置のパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124770
Publication number (International publication number)：1996316237
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】膨潤がなく、プロセス後の剥離が容易な表面反応プロセスを有する、又は、工程数を低減し、デバイス生産コストを低減することができる半導体装置のパターン形成方法を提供する。【構成】シリコン基板11の上にシリコン酸化膜12、さらにタングステン膜13が積層されたものを用いる。その被加工基板の上にトリメチルゲルマン〔(CH3 )3 GeH〕を原料ガスとしたプラズマCVD(化学的気相成長)法によりポリゲルマン膜14を堆積させる。次に、酸素雰囲気下でArFエキシマレーザを用いて縮小投影露光を行い潜像を形成する。この潜像は、ポリゲルマン膜14が光励起酸化されポリゲルミロキサン膜15になったものである。次に、塩素と酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングにより、ポリゲルマン膜14とタングステン膜13を連続してこの順にエッチングを行なって、タングステンパターン16を得る。次に、タングステンパターン16上に残ったポリゲルミロキサン膜15を発煙硝酸に浸漬し溶解除去する。

Claim (excerpt)：

配線材料からなる膜をリソグラフィによりエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて前記配線材料からなる膜を所望の形状に加工し、不要となったエッチングマスクを除去して、基板上に配線パターンを形成する半導体装置の配線パターン形成方法において、(a)被加工基板の上にポリゲルマン膜を堆積する工程と、(b)酸素を含む雰囲気の下でArFエキシマレーザ、電子線又はX線によって露光を行って潜像を形成する工程と、(c)ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングを行ない、未露光部であるポリゲルマン膜の加工と前記被加工基板の加工を連続して行なう工程と、(d)加工して得たパターンの上部に残る露光済みのポリゲルマン膜由来の膜を酸で除去する工程を施すことを特徴とする半導体装置のパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3213 , G03F 1/16 , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (6)：

H01L 21/88 C , G03F 1/16 A , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 531 M , H01L 21/30 569 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-127159
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-339036 Applicant：富士通株式会社
特開平4-114164

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Cited by examiner (5)

特開平4-127159
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-339036 Applicant：富士通株式会社
特開平4-114164

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