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J-GLOBAL ID：200903044800604047

High-k物質を選択的に除去する方法

Inventor： ウアシーレ・パラシフ ,  マルティーヌ・クレー
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
Agent (2)： 河宮 治 ,  石野 正弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004221896
Publication number (International publication number)：2005057276
Application date： Jul. 29, 2004
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：

【課題】SiO2層及びシリコン層に対する十分な選択性でhigh-k物質をエッチングする新しい信頼できる方法を明らかにする。【解決手段】 high-k物質の選択的除去方法は、半導体基板の上にhigh-k物質層5を設けるステップと、前記high-k物質層5を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップとを含む。前記high-k物質層5をダメージ付与ステップにさらすステップをさらに含んでもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の上にhigh-k物質を設けるステップと、 前記high-k物質を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップと を含むことを特徴とするhigh-k物質の選択的除去方法。

IPC (1)：

H01L21/306

FI (1)：

H01L21/306 D

F-Term (4)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD17 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許公開公報第2003/0104706号
  

Cited by examiner (1)

• エッチング液及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-135864   Applicant：ダイキン工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Selective Wet Etching for High-K Material by Organic Solvent Containing Hydrofluoric Acid
• Selective wet etching of high-k materials