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J-GLOBAL ID:200903080921561139
エッチング液及びエッチング方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三枝 英二 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002135864
Publication number (International publication number):2003332297
Application date: May. 10, 2002
Publication date: Nov. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】THOX、TEOSなどのシリコン酸化膜に対し、ハフニウム系酸化物膜、ジルコニウム系酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液を提供する。【解決手段】 熱酸化膜(THOX)に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜,ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜,ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液;該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法;該方法により得ることができるエッチング処理物。
Claim (excerpt):
熱酸化膜(THOX)に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜,ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜,ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液。
IPC (2):
H01L 21/306
, H01L 21/308
FI (2):
H01L 21/308 E
, H01L 21/306 D
F-Term (4):
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043EE10
, 5F043GG10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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エッチング液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-332767
Applicant:ダイキン工業株式会社
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エッチング液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-332782
Applicant:ダイキン工業株式会社
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-246882
Applicant:株式会社東芝
-
除去方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-027361
Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
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エッチング方法およびエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-369877
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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