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J-GLOBAL ID：200903044811455167

反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子

Inventor：
高橋 政志

About 高橋 政志


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001043720
Publication number (International publication number)：2002246299
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【課題】 EUVリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、マスクパターンの位置ずれを抑制するとともに、解像度に悪影響を及ぼすことなく、DUV光によるマスク検査時のコントラストを向上させることができる反射型露光マスクを提供する。【解決手段】 DUV光に対し比較的反射率が高い多層膜(2)上に形成される、DUV光に対し比較的反射率が低いマスクパターン(5)が、その表面近傍部分のみ又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されている。
Claim (excerpt)：
EUVリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に、少なくともその表面近傍部分が少なくとも主として酸化タンタルで形成されたマスクパターンとを有することを特徴とする反射型露光マスク。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2)：
G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 531 M
F-Term (7)：
2H095BA10 ,  2H095BB06 ,  2H095BB25 ,  2H095BC13 ,  5F046GD01 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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