X線マスクブランク及びその製造方法、並びにX線マスク及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998341058
Publication number (International publication number)：2000150364
Application date： Nov. 14, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 1Gbit-DRAM以降のX線マスクに要求される厳しい要求特性を満し、特に、マスク作製後におけるX線吸収体パターンの膜応力の変化に起因したパターン歪みや位置変動がなく位置精度に優れるX線マスク等を提供する。【解決手段】支持基板11a上に、X線を透過するX線透過膜12を有し、該X線透過膜12上にX線を吸収するX線吸収体パターン13aを有するX線マスクであって、前記X線吸収体パターン13aは、タンタルとホウ素と窒素及び/又は酸素を含む材料からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マスク基板上に、X線を透過するX線透過膜を有し、該X線透過膜上にX線を吸収するX線吸収膜を有するX線マスクブランクであって、前記X線吸収膜は、タンタルとホウ素と窒素を含むことを特徴とするX線マスクブランク。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

F-Term (6)：

2H095BA10 , 2H095BB25 , 2H095BC08 , 5F046GD01 , 5F046GD05 , 5F046GD16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

X線マスク及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-098867 Applicant：富士通株式会社
X線マスクおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-181975 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-192116

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