半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133707
Publication number (International publication number)：1996078361
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】チタンシリサイドを用いたサリサイドプロセスにおいて、低抵抗で、かつ配線間ショート不良のない、チタンシリサイド膜の形成方法を提供する。【構成】不純物が拡散されたシリコン層107〜110表面をイオン注入により非晶質化し、高融点金属シリサイドが形成される温度を超えない温度で前記半導体基板を加熱した状態で高融点金属を堆積し、高融点金属層112とシリコン層界面に高融点金属とシリコンの非晶質の混合層113を形成し、しかる後に熱処理により高融点金属シリサイド層を形成する。

Claim (excerpt)：

不純物が拡散されたシリコン領域上に非晶質シリコン層を形成し、その後、高融点金属シリサイドが形成される温度をこえない温度で前記シリコン領域を含む半導体基板を加熱しながら高融点金属を堆積させて高融点金属層を形成し、これによって前記高融点金属層と前記シリコン領域との界面に高融点金属とシリコンとの非晶質の混合層を形成し、その後、熱処理を行って高融点金属シリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-189755 Applicant：ソニー株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-278728 Applicant：沖電気工業株式会社
チタニウムシリサイドコンタクト製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-136010 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカンパニーリミテッド

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