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J-GLOBAL ID：200903044849486465

半導体記憶装置

Inventor： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： 特許業務法人 日東国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005322352
Publication number (International publication number)：2006066934
Application date： Nov. 07, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】高強誘電体劣化を防止した信頼性の高い半導体記憶装置を得ること。【解決手段】能動素子2と、能動素子2に接続される高強誘電体膜9を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

能動素子と、 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた高強誘電体膜とからなるコンデンサと、 前記能動素子と前記コンデンサとの間に形成された、水素拡散バリア層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (2)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C

F-Term (20)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR41

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5005102号明細書
  

Cited by examiner (6)

• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-254378   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116221   Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開平4-102367
  
• 特開平4-102367
  
• 特開平2-128424
  
• 特開平2-128424