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J-GLOBAL ID：200903090632764345

半導体装置の製造方法

Inventor： 千田 厚慈 ,  吉原 晋二
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021348
Publication number (International publication number)：1999220141
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 不活性ガス充填あるいは真空封止するための基板を有する半導体装置を、高歩留まりかつ省工程で製造する。【解決手段】 キャップ基板7に形成された凹部によって、キャップ基板7をセンサ基板1に搭載したときに空洞部10ができる。このとき、キャップ基板7に備えられる接合用膜9に、空洞部10とその外部とを連通する連通溝9aを設けておけば、この連通溝9aを通じて真空排気若しくは不活性ガス充填を行うことができる。この連通溝9aは、キャップ基板7とセンサ基板1とを加圧するときに埋められ、キャップ基板7とセンサ基板1とが接合用膜9によって共晶結合するときには消失する。このため、確実に真空排気若しくはガス充填を行うことができる。

Claim (excerpt)：

一面側に凹部(7a)が形成された第1の半導体基板(8)を、接合用膜(9)を介して第2の半導体基板(1)に搭載したときに、前記凹部によって形成される前記第1の半導体基板と第2の半導体基板との間の空洞部(10)と、その外部とを連通する連通溝(9a)を形成する工程と、前記連通溝を介して、前記空洞部内を真空排気あるいはガス充填する工程と、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを挟む方向に加圧することで、前記接合用膜によって前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを共晶接合させると共に、前記連通溝を埋めて前記空洞部とその外部とを遮断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/10

FI (2)：

H01L 29/84 Z ,  G01P 15/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120138   Applicant：日本電装株式会社
• 加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-250432   Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング