Pat
J-GLOBAL ID:200903044955131030
X線検出装置用アレイ基板およびその検査方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000095173
Publication number (International publication number):2001284562
Application date: Mar. 30, 2000
Publication date: Oct. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 画素電極と上部電極との導通不良を容易に検出することの可能なX線検出装置用アレイ基板を提供すること。【解決手段】 絶縁基板上に配設されたそれぞれ複数本の信号線、蓄積容量線および走査線と、前記信号線にドレインが、前記走査線にゲートがそれぞれ電気的に接続された、画素ごとにマトリクス状に配置された複数の3端子非線形素子と、前記蓄積容量線に電気的に接続された蓄積容量電極と、前記3端子非線形素子のソースに電気的に接続され、前記蓄積容量電極上の誘電体膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された上置き電極とを備えたX線検出装置用アレイ基板であって、前記誘電体膜を挟んで前記蓄積容量電極と前記画素電極とで構成される蓄積容量が、画素ごとに複数個存在するように、前記画素電極が複数に分割されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
絶縁基板上に配設されたそれぞれ複数本の信号線、蓄積容量線および走査線と、前記信号線にドレインが、前記走査線にゲートがそれぞれ電気的に接続された、画素ごとにマトリクス状に配置された複数の3端子非線形素子と、前記蓄積容量線に電気的に接続された蓄積容量電極と、前記3端子非線形素子のソースに電気的に接続され、前記蓄積容量電極上の誘電体膜上に形成された画素電極と、前記画素電極上の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された上置き電極とを備えたX線検出装置用アレイ基板であって、前記誘電体膜を挟んで前記蓄積容量電極と前記画素電極とで構成される蓄積容量が、画素ごとに複数個存在するように、前記画素電極が複数に分割されていることを特徴とするX線検出装置用アレイ基板。
IPC (11):
H01L 27/14
, G01R 31/00
, G01R 31/02
, G01T 1/24
, G01T 1/29
, G01T 7/00
, H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/09
, H04N 5/32
FI (12):
G01R 31/00
, G01R 31/02
, G01T 1/24
, G01T 1/29 C
, G01T 7/00 C
, H04N 5/32
, H01L 27/14 K
, H01L 27/14 Z
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 624
, H01L 31/00 A
F-Term (61):
2G014AA02
, 2G014AA13
, 2G014AB21
, 2G014AB55
, 2G014AB59
, 2G036AA25
, 2G036AA26
, 2G036AA27
, 2G036BA33
, 2G036BB12
, 2G036CA06
, 2G036CA08
, 2G088EE01
, 2G088EE27
, 2G088FF02
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ32
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 2G088LL26
, 4M118AA09
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118DD09
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118GA10
, 5C024AX12
, 5C024CY44
, 5C024GX18
, 5C024GY39
, 5C024HX23
, 5F088AA11
, 5F088AB01
, 5F088BA18
, 5F088BB03
, 5F088EA04
, 5F088EA06
, 5F088GA02
, 5F088KA08
, 5F088LA08
, 5F110AA24
, 5F110BB02
, 5F110BB10
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110NN02
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN72
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-226720
Applicant:株式会社東芝
-
二次元画像検出器およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-070270
Applicant:シャープ株式会社
-
X線画像検出器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-004667
Applicant:株式会社東芝
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