半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997037290
Publication number (International publication number)：1998233531
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】これまでの窒化物系化合物半導体素子に代表されるメサ構造の上下両段に一対の電極を有する素子においては、上段の下端である角の部分に電界が集中し、素子の信頼性を著しく低下させるという問題点があった。【解決手段】不純物の高濃度から減少していく領域をこの角の部分から上段部内にまで拡大することにより、電流の流れる道筋を変更し、角部への電界の集中を抑制する。

Claim (excerpt)：

メサ構造を具備し、該メサ構造の上段面表面と下段面表面とに一対の電極を具備する半導体素子において、前記下段面表面の電極の直下の半導体層表面側及び前記メサ底部側の側面の半導体層表面側の不純物濃度を、下段部表面電極直下の半導体層の裏面側より高くしたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

バイポーラトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244718 Applicant：株式会社東芝
特開昭61-280665
化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-176034 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (5)

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特開昭61-280665
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