IGBTのサージ電圧抑制回路と過電流遮断回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240771
Publication number (International publication number)：1995099429
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】IGBTを電力変換装置のスイッチング素子に使用してオン・オフ動作させる際に、高いサージ電圧の発生を抑制して半導体素子の破壊を防止する。又は、高いサージ電圧を発生させることなく過電流を遮断する。【構成】負極側第1ZD43と負極側第2ZD44とを逆極性で直列接続して負極側主エミッタ端子26と負極側制御ゲート端子27との間に接続し(正極側IGBT11の場合も同様)、ターンオフ時に当該負極側IGBT21を再度オンさせて電流変化率を緩和し、サージ電圧を抑制する。ターンオン時はゲート電圧VGEを低下させて対向アームのFWD逆回復時のサージ電圧を抑制する。或いは負極側第2ZD44とスイッチ53との直列回路を負極側主エミッタ端子26と負極側制御ゲート端子27の間に接続し、過電流検出時にスイッチ53をオンにし、サージ電圧を抑制しつつ過電流を遮断する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲートバイポーラトランジスタとダイオードとの逆並列接続でなるスイッチング回路の1組をケースに封入し、又は前記スイッチング回路の2組を直列接続してケースに封入し、このケースの表面に主回路用コレクタ端子,主回路用エミッタ端子,制御用ゲート端子,及び制御用エミッタ端子を備えてIGBTモジュールを構成し、このIGBTモジュールに並列にスナバ回路を接続している装置において、複数のツェナーダイオードを相互に逆方向に直列接続し、このツェナーダイオード逆直列回路を前記IGBTモジュールの制御用ゲート端子と主回路用エミッタ端子との間に接続することを特徴とするIGBTのサージ電圧抑制回路。

IPC (2)：

H03K 17/16 , H03K 17/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-007714
絶縁ゲート型半導体素子のドライブ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-289203 Applicant：株式会社三社電機製作所
特開平4-296116

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