水素センサー及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高畑靖世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005044663
Publication number (International publication number)：2005274559
Application date： Feb. 21, 2005
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】自動車用燃料電池、家庭用燃料電池等の装置に用いられる水素ガスの漏れを検知するのに用いる、或いは水素ガスを扱う装置内の水素濃度を制御するのに用いる水素センサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板2と、該基板2上に形成された希土類金属膜3と、該希土類金属膜3上に形成された保護膜5であって前記保護膜5はセラミックス材料15中に水素透過性金属粒子13を分散してなる保護膜5と、を有することを特徴とする水素センサー。希土類金属膜3の厚さが5〜1000nmであり、保護膜5の厚さが5〜40nmであることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成された希土類金属膜と、該希土類金属膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、を有することを特徴とする水素センサー。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (2)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C

F-Term (21)：

2G046AA05 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB08 , 2G046BE03 , 2G046BE08 , 2G046BF01 , 2G046FB00 , 2G046FB02 , 2G046FB06 , 2G046FE02 , 2G046FE03 , 2G046FE18 , 2G046FE24 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE35 , 2G046FE38 , 2G046FE45 , 2G046FE47

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-595142 Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

Cited by examiner (5)

微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-595142 Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-167574 Applicant：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 中部電力株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-265311 Applicant：株式会社産学連携機構九州

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