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J-GLOBAL ID：200903045311756949

GaN系トランジスタ

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000133399
Publication number (International publication number)：2001320042
Application date： May. 02, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電気的特性に優れたナイトライド系半導体を用いて、高耐圧で大電流動作が可能な縦型構造の半導体装置であるゲート電極を備えたGaN系トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極直下の半導体層(p+-AlGaN層6)を、他の半導体層(n-AlGaN層5)を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばAlGaNを用いて、縦型構造のGTOやIGBTからなるパワーデバイスを実現する。
Claim (excerpt)：
ゲート電極を備えたGaN系トランジスタであって、ゲート電極直下の半導体層を、他の半導体層を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料により形成したことを特徴とするGaN系トランジスタ。
IPC (7)：
H01L 29/74 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655
FI (7)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/74 D ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 301
F-Term (16)：
5F005AA01 ,  5F005AD01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF01 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02 ,  5F005GA02 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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