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J-GLOBAL ID：200903057898048311

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置

Inventor： 西田 敏夫 ,  小林 直樹 ,  前田 就彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998235336
Publication number (International publication number)：2000068498
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化物III-V族化合物半導体装置の作製において、格子定数の不整合を抑制したまま、電気的に良好な分離を行うことにより、半導体装置の特性を向上する。例えば、高移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル層の下層に、絶縁性窒化物膜を設けることにより、容易に高速性に優れたHEMT特性が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物III-V族化合物半導体に、不純物として炭素単独、もしくは炭素と、該炭素濃度の10%以下のII族原子を共ドープした窒化物III-V族化合物半導体よりなる絶縁性窒化物膜とする。窒化物III-V族化合物半導体は、GaN、AlN、InNまたはBN、もしくはこれらの混合結晶よりなり、これらの絶縁性窒化物膜を少なくとも用いて、窒化物III-V族化合物半導体装置を構成する。

Claim (excerpt)：

窒化物III-V族化合物半導体に、不純物として炭素を高濃度にドープした絶縁性の窒化物III-V族化合物半導体よりなることを特徴とする絶縁性窒化物膜。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/205

F-Term (28)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• p型半導体膜および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-332199   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-037990   Applicant：株式会社東芝
• MIS型電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-330777   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-071979   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-178606   Applicant：古河電気工業株式会社