薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242996
Publication number (International publication number)：1994196503
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】特にオフの際、漏洩電流を低減し、TFT 作動時駆動電流を増加させ、ポリシンコンTFT の特性を向上させる。【構成】 TFT のチャンネルポリシリコン層4を酸素プラズマ5に晒すことにより、酸素プラズマ中の酸素は、チャンネルポリシリコン層4を浸透し、ゲート絶縁膜3とチャンネルポリシリコン層4との境界面などにおいて不安定に結合されたシリコン原子等と結合する。この作用により、ダングリング・ボンドが生じた領域が低減され、この結果、チャンネルポリシリコン層4の導電率が向上する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタの製造方法において、下部絶縁膜の上部にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、チャンネルポリシリコン層を形成する工程と、前記チャンネルポリシリコン層を酸素プラズマに晒し、このチャンネルポリシリコン層と前記ゲート絶縁膜との境界面及びこのチャンネルポリシリコン層内における欠陥を低減させる工程と、不純物を前記チャンネルポリシリコン層の予定された部分に注入し、ソースとドレインを形成する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭59-108360
特開昭59-108360
特開昭58-082568

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