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J-GLOBAL ID：200903045316790274

化合物半導体の製膜方法

Inventor： 角谷 正友 ,  福家 俊郎 ,  小川 真吾
Applicant, Patent owner： 静岡大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096945
Publication number (International publication number)：1999283925
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】バッファ層を設けることなく、簡易な方法でエピタキシャル成長させることが可能な、化合物半導体の製膜方法を提供する。【解決手段】化合物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる化合物半導体の製膜方法において、製膜中における基板温度を所定の割合で上昇させて、前記基板上に直接化合物半導体をエピタキシャル成長させることを特徴とする、化合物半導体の製膜方法である。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる化合物半導体の製膜方法において、製膜中における基板温度を所定の割合で上昇させて、前記基板上に直接化合物半導体をエピタキシャル成長させることを特徴とする、化合物半導体の製膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/20

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/40 502 A ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-211620
  
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-341880   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系発光素子および製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077251   Applicant：旭化成工業株式会社