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J-GLOBAL ID：200903045395122605

III-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999089394
Publication number (International publication number)：2000286213
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 バンドギャップエネルギーが大きいIII-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極の形成方法を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極を形成する方法であって、III-V族窒化物系化合物半導体1の上に、一旦、そのバンドギャップエネルギーを小さくすることができる材料から成る介在層2を形成したのち、その介在層2の上に電極材料の層を形成し、ついで全体に熱処理を行い、介在層としては、含In化合物半導体層、含In合金層、Si層、Ge層、異種類のIII-V族窒化物系化合物半導体を交互に積層した多層構造のいずれかが用いられる。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極を形成する方法であって、III-V族窒化物系化合物半導体の上に、一旦、そのバンドギャップエネルギーを小さくすることができる材料から成る介在層を形成したのち、前記介在層の上に電極材料の層を形成し、ついで全体に熱処理を行うことを特徴とするIII-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F

F-Term (15)：

4M104AA04 ,  4M104BB03 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GR15 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-346950   Applicant：松下電子工業株式会社
• 電極構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164379   Applicant：シャープ株式会社
• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-192818   Applicant：ソニー株式会社