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J-GLOBAL ID：200903092561124776

半導体装置

Inventor： 石田 昌宏 ,  橋本 忠朗 ,  今藤 修 ,  油利 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996346950
Publication number (International publication number)：1998189479
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の電極における接触抵抗を低減することにより、電極における発熱を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 半導体層と、前記半導体層上に形成され禁制帯幅が前記半導体層の禁制帯幅より狭くかつ導電型が半導体層の導電型と同一である半導体薄膜と、導電体よりなり半導体薄膜上に形成された電極とを有する半導体装置を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、導電型が前記第1の半導体層の導電型と同一である第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された電極とを有し、前記第2の半導体層の禁制帯幅が前記第1の半導体層の禁制帯幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 特開昭62-183176
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233179   Applicant：ローム株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039445   Applicant：株式会社日立製作所
• オーミック電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-233118   Applicant：横河電機株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-045991   Applicant：光計測技術開発株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085492   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-183176
  
• 特開昭62-183176
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233179   Applicant：ローム株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039445   Applicant：株式会社日立製作所