化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998275664
Publication number (International publication number)：1999172438
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板を蒸着室内に装入する段階と、金属ソースを蒸着室内に流す段階と、金属ソースの流入を遮断し、パージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記金属ソースを除去する段階と、パージガスの流入を遮断し、窒素ソースを蒸着室内に流して前記半導体基板上に吸着した前記金属ソースと反応させる段階と、窒素ソースの流入を遮断しパージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記窒素ソースを除去する段階とを具備して、前記半導体基板上に金属窒化膜を形成することを特徴とする。これにより、500°C以下の低温で段差塗布性に優れながら低い比抵抗と低いCl含量とを備える金属窒化膜が得られ、蒸着速度が概略20Å/cycle で大量生産にも適している。

Claim (excerpt)：

金属ソースと窒素ソースを前駆体として使用する化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法において、(a)半導体基板を蒸着室内に装入する段階と、(b)前記金属ソースを蒸着室内に流す段階と、(c)前記金属ソースの流入を遮断し、パージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記金属ソースを除去する段階と、(d)前記パージガスの流入を遮断し、窒素ソースを蒸着室内に流して前記半導体基板上に吸着した前記金属ソースと反応させる段階と、(e)前記窒素ソースの流入を遮断しパージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記窒素ソースを除去する段階とを具備して、前記半導体基板上に金属窒化膜を形成することを特徴とする金属窒化膜形成方法。

IPC (6)：

C23C 16/34 , C01B 21/076 , C23C 16/08 , C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/768

FI (6)：

C23C 16/34 , C01B 21/076 B , C23C 16/08 , C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-143221
化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社
膜成長方法と膜成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-299246 Applicant：富士通株式会社

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