結晶成長方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000217911
Publication number (International publication number)：2002033288
Application date： Jul. 18, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】窒化ガリウム系化合物半導体などの窒化物半導体の気相成長技術において、低転位密度の高品質結晶を得ることのできる結晶成長方法を提供する。【解決手段】基板10上に結晶成長を阻害するマスク層13を、その一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層11が表面に凹凸部を有して臨むように形成し、その凹凸部からの結晶成長によって前記マスク層13上を含む領域に第2窒化物半導体層17を成長させる。横方向に成長の速い貫通転位12は、結晶のない空隙部18で終端され、上部への伝播をより確実に防止できる。

Claim (excerpt)：

基板上に結晶成長を阻害するマスク層を、該マスク層の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が該第1窒化物半導体層の表面に凹凸部を有して臨むように形成し、前記凹凸部からの結晶成長によって前記マスク層上を含む領域に第2窒化物半導体層を成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C

F-Term (32)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-080410 Applicant：ソニー株式会社
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336307 Applicant：ソニー株式会社
窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-168079 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (2)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-080410 Applicant：ソニー株式会社
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336307 Applicant：ソニー株式会社

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