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J-GLOBAL ID：200903030221078774

窒化物半導体の成長方法

Inventor：
山田 孝夫

About 山田 孝夫


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999168079
Publication number (International publication number)：2000357843
Application date： Jun. 15, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 SiO2等の保護膜を用いずとも、転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法、及び結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 第1の工程で、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1の上に第1の窒化物半導体2を成長させ、第2の工程で、第1の窒化物半導体2の表面を部分的に、窒化物半導体が成長しにくいか又は成長しないように改質し、第1の窒化物半導体2の表面への窒化物半導体の成長に選択性を持たせ、第3の工程で、表面に部分的に改質部分を有する第1の窒化物半導体2上に、第2の窒化物半導体3を成長させる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、前記第1の工程後、前記第1の窒化物半導体の表面を部分的に、窒化物半導体が成長しにくいか又は成長しないように改質し、第1の窒化物半導体の表面への窒化物半導体の成長に選択性を持たせる第2の工程と、前記第2の工程後、前記表面が部分的に改質された第1の窒化物半導体上に、第2の窒化物半導体を成長させる第3の工程を少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3)：
H01S 5/227 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 5/227 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (52)：
5F041CA21 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA61 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16 ,  5F045HA20 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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