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J-GLOBAL ID：200903045542391579

半導体装置のキャパシタ及びその製造方法

Inventor：
李圭弼

About 李圭弼


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 大塚 康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304680
Publication number (International publication number)：1998150161
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 抵抗が著しく減少し、不純物の外向拡散も根本的に防止することができる半導体装置のキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置のキャパシタは、半導体基板上に形成されたコンタクトホールを有する層間絶縁膜25,29と、前記コンタクトホールを通して前記基板に接続される金属プラグ31aと、前記金属プラグに連結されるストレージノード33と、前記ストレージノード上に形成された誘電膜35と、前記誘電膜上に形成されたプレートノード37とを含む。これによれば、ストリージノード用のコンタクトホールに埋め込まれるストレージノードの柱部に不純物が含まれない低抵抗の金属を用いることにより、抵抗が著しく減少し、不純物の外向拡散も根本的に防止することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記基板に接続される金属プラグと、前記金属プラグに連結されるストレージノードと、前記ストレージノード上に形成された誘電膜と、前記誘電膜上に形成されたプレートノードとを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。
IPC (4)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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