Pat
J-GLOBAL ID：200903045550865865

ウエ-ハレベルCSPのハンダバンプ形成面洗浄方法

Inventor：
▲土▼井 公夫

About ▲土▼井 公夫


Applicant, Patent owner：
株式会社エンヤシステム

About 株式会社エンヤシステム


Agent (1)： 亀川 義示
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999143511
Publication number (International publication number)：2000332153
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ウエ-ハの段階でチップサイズ(スケ-ル)パッケ-ジ(CSP)を行うウエ-ハレベルCSPにおいて、ハンダバンプ形成面の洗浄を確実に行う。【解決手段】 ハンダバンプを形成し、リフロ-した後のウエ-ハ(13)をスピンチャックに保持して回転する。このウエ-ハ(13)にノズル(16)から蒸気を噴射し、ハンダバンプ形成面(10)を加熱する。この加熱により、ハンダバンプ形成面に付着したフラックス残さ(11)や微細なハンダ飛散物(12)等の残さ物は柔らかくなる。そして、この軟化した残さ物に向けて洗浄液を高圧で吹き当てる。これにより、上記残さ物を洗浄する。
Claim (excerpt)：
ウエ-ハレベルCSPにおいて、ハンダバンプ形成後、該ハンダバンプ形成面に存する残さ物を軟化するよう該形成面を加熱し、上記ウエ-ハを回転させ上記加熱されたハンダバンプ形成面に洗浄液を噴射して洗浄することを特徴とするウエ-ハレベルCSPのハンダバンプ形成面洗浄方法。
IPC (4)：
H01L 23/12 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/00 330 ,  B08B 3/02
FI (4)：
H01L 23/12 L ,  B23K 1/00 D ,  B23K 1/00 330 E ,  B08B 3/02 F
F-Term (8)：
3B201AA03 ,  3B201AB34 ,  3B201BB02 ,  3B201BB23 ,  3B201BB33 ,  3B201BB62 ,  3B201BB82 ,  3B201CB21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM